China LaAlO3-Kristallunternehmen
LaAlO3-Kristallfabrik
LaAlO3-Kristallunternehmen

LaAlO3

Der LaAlO3-Kristall ist aufgrund seiner guten Gitteranpassung mit einer Vielzahl von Perowskit-Strukturmaterialien das Substratmaterial für das epitaktische Wachstum von Hochtemperatur-Supraleiter-Dünnfilmen und Riesenmagnetowiderstands-Dünnfilmen.

Produktbeschreibung

LaAlO3 ist ein supraleitendes Hochtemperatur-Einkristallsubstrat. Es ist ein gutes Substratmaterial für das epitaktische Wachstum von hochtemperatursupraleitenden Dünnfilmen und riesigen magnetischen Dünnfilmen. Seine dielektrischen Eigenschaften eignen sich für verlustarme Mikrowellen- und dielektrische Resonanzanwendungen.

Hauptvorteile:

Kleine Dielektrizitätskonstante

Geringer dielektrischer Verlust

Gute Gitteranpassung

Kleiner Wärmeausdehnungskoeffizient

Gute chemische Stabilität; große Energielücke

Große spezifische Oberfläche

Gute thermische Stabilität

Typische Anwendungen:

Hochtemperatur-supraleitendes Dünnschicht-Epitaxiesubstrat; Makromagnetisches Dünnfilm-Epitaxiesubstrat; Mikrowellenverstärkung und dielektrische Resonanz



Materialeigenschaften

Chemische Formel LaAlO3
Wachstumsmethode Czochralski
Kristallsystem Sechseckig (Raumtemperatur)
Gitterkonstante Sechseckig a = 5,357 Å c = 13,22 Å
Härte 6,5 Mohs
Dichte 6,52 g/cm3
Schmelzpunkt Schmelzpunkt
Wärmeausdehnung 10×10-6/℃
Verlusttangens (10 GHz) ~3×10-4@300K,~0,6×10-4@77K



Technische Parameter

Maße Maximaler Durchmesser 76,2 mm (3 Zoll)
Dicke 0,5 mm andere Dicke verfügbar
Polieren Einzel oder Doppel
Orientierung <100><110><111>
Ra Ra≤5Å(5µm×5µm)
Orientierungstoleranz  ±0,2°
Orientierungsebene 2° (innerhalb von 1° für besondere Anforderungen)
Kristalliner Winkel Sondergrößen und -ausrichtungen sind auf Anfrage erhältlich

Hinweis: Die oben genannten Parameter dienen nur als Referenz. Bitte wenden Sie sich für Ihre spezifischen Anforderungen an unseren Vertriebsmitarbeiter.

Anwendungen

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