Société chinoise de cristal LaAlO3
LaAlO3 crystal factory
LaAlO3 crystal company

LaAlO3

Le cristal LaAlO3 est le matériau de substrat pour la croissance épitaxiale de films minces supraconducteurs à haute température et de films minces à magnétorésistance géante en raison de sa bonne correspondance de réseau avec une variété de matériaux de structure pérovskite.

Description du produit

LaAlO3 is a high temperature superconducting single crystal substrate. It is a good substrate material for epitaxial growth of high temperature superconducting thin films and giant magnetic thin films. Its dielectric properties are suitable for low loss microwave and dielectric resonance applications.

Main Advantages:

Small dielectric constant

Low dielectric loss

Good lattice matching

Small thermal expansion coefficient

Good chemical stability; wide energy gap

Large specific surface area

Good thermal stability

Typical applications:

High temperature superconducting thin film epitaxial substrate; Macro-magnetic thin film epitaxial substrate; Microwave amplification and dielectric resonance



Propriétés matérielles

Chemical Formula LaAlO3
Growth Method Czochralski
Crystal System Hexagonal (room temperature)
Constante de réseau Hexagonal a = 5.357Å c = 13.22 Å
Hardness 6.5 Mohs
Densité 6.52g/cm3
Point de fusion Point de fusion
Thermal Expansion 10×10-6/℃
Loss Tangent (10ghz) ~3×10-4@300K,~0.6×10-4@77K



Paramètre technique

Dimensions Max Diameter 76.2mm(3 inch)
Thickness 0.5mm other thickness available
Polishing Single or double
Orientation <100><110><111>
Ra Ra≤5Å(5µm×5µm)
Orientation Tolerance  ±0.2°
Orientation Flat 2°(within 1° for special requirement)
Angle of Crystalline Special size and orientation are available upon request

Remarque : Paramètres ci-dessus à titre de référence uniquement, veuillez contacter notre représentant commercial pour vos besoins spécifiques.

Applications

Produit associé