Description du produit
LaAlO3 est un substrat monocristallin supraconducteur à haute température. C'est un bon matériau de substrat pour la croissance épitaxiale de films minces supraconducteurs à haute température et de films minces magnétiques géants. Ses propriétés diélectriques conviennent aux applications de micro-ondes et de résonance diélectrique à faibles pertes.
Principaux avantages:
Petite constante diélectrique
Faible perte diélectrique
Bonne correspondance du treillis
Faible coefficient de dilatation thermique
Bonne stabilité chimique ; écart énergétique important
Grande surface spécifique
Bonne stabilité thermique
Applications typiques:
Substrat épitaxial à couche mince supraconducteur à haute température ; Substrat épitaxial à couche mince macromagnétique ; Amplification micro-onde et résonance diélectrique
Propriétés matérielles
| Formule chimique | LaAlO3 |
| Méthode de croissance | Czochralski |
| Système de cristal | Hexagonale (température ambiante) |
| Constante de réseau | Hexagonale a = 5,357 Å c = 13,22 Å |
| Dureté | 6,5 Mohs |
| Densité | 6,52g/cm3 |
| Point de fusion | Point de fusion |
| Dilatation thermique | 10×10-6/℃ |
| Tangente de perte (10 GHz) | ~3×10-4@300K, ~0,6×10-4@77K |
Paramètre technique
| Dimensions | Diamètre maximum 76,2 mm (3 pouces) |
| Épaisseur | 0,5 mm autre épaisseur disponible |
| Polissage | Simple ou double |
| Orientation | <100><110><111> |
| Râ | Ra≤5Å（5µm×5µm） |
| Tolérance d'orientation | ±0,2° |
| Plat d'orientation | 2° (dans un délai de 1° pour exigence particulière) |
| Angle de cristallin | Des tailles et orientations spéciales sont disponibles sur demande |
Remarque : Paramètres ci-dessus à titre de référence uniquement, veuillez contacter notre représentant commercial pour vos besoins spécifiques.
