중국 LaAlO3 크리스탈 회사
LaAlO3 crystal factory
LaAlO3 crystal company

LaAlO3

LaAlO3 결정은 다양한 페로브스카이트 구조 물질과 격자 정합이 우수하기 때문에 고온 초전도 박막 및 거대 자기저항 박막의 에피택셜 성장을 위한 기판 물질입니다.

제품 설명

LaAlO3 is a high temperature superconducting single crystal substrate. It is a good substrate material for epitaxial growth of high temperature superconducting thin films and giant magnetic thin films. Its dielectric properties are suitable for low loss microwave and dielectric resonance applications.

Main Advantages:

Small dielectric constant

Low dielectric loss

Good lattice matching

Small thermal expansion coefficient

Good chemical stability; wide energy gap

Large specific surface area

Good thermal stability

Typical applications:

High temperature superconducting thin film epitaxial substrate; Macro-magnetic thin film epitaxial substrate; Microwave amplification and dielectric resonance



재료 특성

Chemical Formula LaAlO3
Growth Method Czochralski
Crystal System Hexagonal (room temperature)
격자 상수 Hexagonal a = 5.357Å c = 13.22 Å
Hardness 6.5 Mohs
밀도 6.52g/cm3
녹는 점 녹는 점
Thermal Expansion 10×10-6/℃
Loss Tangent (10ghz) ~3×10-4@300K,~0.6×10-4@77K



기술적인 매개변수

Dimensions Max Diameter 76.2mm(3 inch)
Thickness 0.5mm other thickness available
Polishing Single or double
Orientation <100><110><111>
Ra Ra≤5Å(5µm×5µm)
Orientation Tolerance  ±0.2°
Orientation Flat 2°(within 1° for special requirement)
Angle of Crystalline Special size and orientation are available upon request

참고: 위의 매개변수는 참고용일 뿐입니다. 특정 요구 사항에 대해서는 영업 담당자에게 문의하세요.

응용

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