製品説明
主な利点:
広い光透過率帯域(160-2600nm)。
良好な光学均一性 (n 10 -6 /cm)、内部介在物が少ない。
高い多周波変換効率（KDPクリスタルの3倍相当）。
高い損傷閾値 (1.3ns パルス幅 10GW/cm2 の 1053nm レーザー)。
広い受信角度、小さな離散角度;
クラス I、クラス II ノンクリティカル位相整合 (NCPM) 帯域範囲は広いです。スペクトル非臨界位相整合 (NCPM) は 1300nm に近いです。
典型的なアプリケーション:
1. 倍周波数: Nd: YAG レーザー;科学研究および軍事目的のための高出力 Nd: YAG および Nd: YLF レーザー。 Nd: YVO4、Nd: YAG、Nd: YLF レーザーのポンプ。ルビー、Ti: サファイア、Cr: LiSAF レーザー。
2. 3 周波: Nd: YAG および Nd: YLF レーザー。光パラメトリック増幅器 (OPA) および光パラメトリック発振器 (OPO)。高出力1340nm Nd：YAPレーザーの2倍、3倍の周波数。
材料特性
| 結晶構造 | 斜方晶系、空間群 Pna21、点群 mm2 |
| 格子定数 | a=8.4473Å、b=7.3788Å、c=5.1395Å |
| 融点 | 約834℃ |
| モース硬度 | 6 |
| 密度 | 2.47g・cm3 |
| 熱伝導率 | 3.5W・m-1・K-1 |
| 熱膨張率 | αx=10.8×10-5/K、αy= -8.8×10-5/K、αz=3.4×10-5/K |
| 伝送帯域範囲 | 160nm～2600nm |
| 位相整合範囲 | 551nm～2600nm（タイプI） 790nm～2150nm（タイプII） |
| 熱光学係数 | dnx/dT=-9.3×10-6 dny/dT=-13.6×10-6 dnz/dT=(-6.3-2.1l)×10-6 |
| 吸収係数 | < 0.1%/cm @ 1064nm <0.3%/cm @ 532nm |
| 許容角度 | 6.54mrad・cm-1 (φ、I型、1064SHG) 15.27mrad・cm-1 (q、タイプ II、1064 SHG) |
| 温度許容角度幅 | 4.7℃・cm-1 (タイプI、1064SHG) 7.5℃・cm-1 (タイプII、1064SHG) |
| スペクトル受信 | 1.0nm・cm-1 (タイプI、1064SHG) 1.3nm・cm-1 (タイプII、1064SHG) |
| ウォークオフアングル | 0.60° (タイプ I 1064 SHG) 0.12° (タイプ II 1064 SHG) |
| 非線形係数 | deff(I)=d32cosφ (XY 平面のタイプ I) deff(I)=d31cos2θ+d32sin2θ (XZ 平面のタイプ I) deff(II)=d31cosθ (YZ平面におけるタイプII) deff(II)=d31cos2θ+d32sin2θ (XZ 平面のタイプ II) |
| 非線形磁化係数 | d31=1.05±0.09pm/V d32=-0.98±0.09pm/V d33=0.05 ± 0.006 pm/V |
| セルマイヤー方程式 [λ 単位 μm] | nx2=2.454140+0.011249/(λ2-0.011350)-0.014591λ2-6.60x10-5λ4 ny2=2.539070+0.012711/(λ2-0.012523)-0.018540λ2+2.0x10-4λ4 nz2=2.586179+0.013099/(λ2-0.011893)-0.017968λ2-2.26x10-4λ4 |
技術的パラメータ
クリストロのオファー
| 寸法許容差 | (W±0.1mm) ×(H±0.1mm) ×(L+0.5/-0.1mm) (L≧2.5mm) (W±0.1mm) ×(H±0.1mm) ×(L+0.1/-0.1mm) (L<2.5mm) |
| 角度許容差 | Δθ≦0.25° Δφ≦0.25° |
| クリアアパーチャ | 90% |
| 損傷閾値 [GW/cm2] | >10 @1064nm、TEM00、10ns、10Hz (ポーランド語) >1 @1064nm、TEM00、10ns、10Hz (AR コーティング) >0.5 @532nm、TEM00、10ns、10Hz (AR コーティング) |
| 平面度 | < λ/8@633nm |
| 平行度 | < 20" |
| 直角度 | ≤ 5' |
| 表面品質[S/D] | < 10/5 |
| 波面の歪み | < λ/8@633nm |
| 内部品質 | 50mWの緑色光を分散なしで検出 |
| 保証 | 1年 |
