Monokristallines Unternehmen

Monokristalliner Siliziumwafer

Nach der Czochralski-Methode angebaut
Durchmesser: bis zu 485 mm
Dotierstoff B (Borum)
Leitfähigkeitstyp: P
Ausrichtung: 100
Widerstand: bis zu 10000
Notch-ja Notch-Position: 110
Kerbengröße: 2,3 mm
Form der Kerbe: V
Waferdicke: 775 ± 25 Mikrometer Art der Markierung: Laser Markierungsort Rückseite Kantenprofil: SEMI T/4 S1/S2 Polieren – ja
Gesamtdickenänderung über die Wafer (TTV), Mikrometer < 3
WARP: <40 Mikrometer Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche ist größer
als 0,12 Mikrometer: <40
Oberflächengehalt an Aluminium, E10AT/CM2: 5

Produktbeschreibung

Monokristallines Si wird nach dem folgenden Verfahren hergestellt: Quarzsand – Silizium in metallurgischer Qualität – Reinigung und Raffination – abgeschiedene polykristalline Siliziumbarren – monokristallines Silizium – Waferschneiden. Die Hauptanwendung von monokristallinem Si ist der Einsatz als Halbleitermaterial sowie im Bereich Solarenergie und Solarheizung usw.

Hauptvorteile:

Eine Einzelprüfung ist möglich

MCZ-Wachstumsmethode (Superconducting Magnetic Czochralski).
Maximaler Durchmesser von 485 mm
Keine Luxationsdefekte
Hoher Wachstumsertrag
Der Gehalt an Verunreinigungen ist äußerst gering



Typische Anwendungen:

Halbleitermaterialien

Solarenergie

Solarheizung


Materialeigenschaften

MaterialSi
Chemische FormelSi
Dichte2,33 g/cm³
Reinheit99.999%
Maßtoleranz±0,1 mm
Oberfläche3.2Ra
FarbeHellgrau

Nach der Czochralski-Methode angebaut
Durchmesser: bis zu 485 mm
Dotierstoff B (Borum)
Leitfähigkeitstyp: P
Ausrichtung: 100
Widerstand: bis zu 10000
Notch-ja Notch-Position: 110
Kerbengröße: 2,3 mm
Form der Kerbe: V
Waferdicke: 775 ± 25 Mikrometer. Art der Markierung: Laser. Markierungsort. Rückseite. Kantenprofil: SEMI T/4

Anwendungen

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