Chinesisches Polysiliziumunternehmen

Polykristallines Si

Produktbeschreibung

Wenn das geschmolzene elementare Silizium unter Unterkühlungsbedingungen erstarrt, werden die Siliziumatome in vielen Kristallkeimen in Form eines Diamantgitters angeordnet. Wenn diese Kristallkeime zu Körnern mit unterschiedlichen Kristalloberflächenausrichtungen wachsen, werden diese kristallinen Körner kombiniert, um zu Polysilizium zu kristallisieren .

Hauptvorteile:

Polykristallines Silizium hat einen grauen metallischen Glanz und eine Dichte von 2,32 bis 2,34 g/cm3. Schmelzpunkt 1410 °C. Siedepunkt 2355 °C. Löslich in gemischten Säuren aus Flusssäure und Salpetersäure, unlöslich in Wasser, Salpetersäure und Salzsäure. Die Härte liegt zwischen Germanium und Quarz, ist bei Raumtemperatur spröde und beim Schneiden leicht zu brechen. Eine Erwärmung auf über 800 °C ist duktil, bei 1300 °C zeigt sich eine deutliche Verformung. Es ist bei Raumtemperatur inaktiv und reagiert bei hoher Temperatur mit Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel usw. Im Zustand des Schmelzens bei hoher Temperatur weist es eine große chemische Aktivität auf und kann mit fast jedem Material interagieren. Es verfügt über Halbleitereigenschaften und ist ein äußerst wichtiges und ausgezeichnetes Halbleitermaterial, doch Spurenverunreinigungen können seine Leitfähigkeit stark beeinträchtigen. Die Elektronikindustrie wird häufig bei der Herstellung von Halbleiterradios, Tonbandgeräten, Kühlschränken, Farbfernsehern, Videorecordern, elektronischen Computern und anderen Grundmaterialien eingesetzt. Es wird durch Chlorierung von getrocknetem Siliciumdioxidpulver und trockenem Chlorwasserstoffgas unter bestimmten Bedingungen und anschließende Kondensation, Rektifikation und Reduktion gewonnen.



Typische Anwendungen:

Polysilizium ist ein direkter Rohstoff für die Herstellung von monokristallinem Silizium und das Grundmaterial elektronischer Informationen für zeitgenössische künstliche Intelligenz, automatische Steuerung, Informationsverarbeitung, fotoelektrische Umwandlung und andere Halbleiterbauelemente.


Materialeigenschaften

MaterialPolykristallines Si
Chemische FormelSi
Dichte2,33 g/cm³
Reinheit99.999%
Maßtoleranz±0,1 mm


Anwendungen

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