Homogenisierende Linse

Das Substrat des Ultraviolett-Galvanometer-Scanners besteht aus Silizium/K9/Quarz. Es wird hauptsächlich auf Laserscangeräte für Lasermarkierung und 3D-Druck usw. angewendet.

Der computergesteuerte Polierer für optische Oberflächen basiert auf einem Industrieroboter. Der Oberflächenfehler wird durch das Polierspindelwerkzeug ermittelt, das für optische ebene, sphärische und asphärische Oberflächen verwendet wird. Die passende Polierwerkzeugtechnologie basierend auf dem Polierkraftregler wurde entwickelt, um die steuerbare Einflussfunktion zu erhalten und die präzise optische Oberfläche zu bearbeiten. Und High Mark wird mit der innovativen Prozesstechnologie und Software vollständige Prozesslösungen vom Mikrometer bis zum Nanometer anbieten.

Der Lithiumtriborat-LiB3O5 (LBO)-Kristall ist ein ausgezeichneter Frequenzkristall, der ein weit verbreitetes Gerät zur Frequenzverdopplung ist. Der Kristall weist eine gute optische Gleichmäßigkeit, ein breites Durchdringungsband sowie eine hohe Anpassungseffizienz und Laserzerstörschwelle auf. LBO-Kristalle haben stabile chemische Eigenschaften, eine hohe mechanische Härte, geringe Zerfließen und eine geringere Doppelbrechung als BBO-Kristalle und tragen so dazu bei, den Phasenanpassungsspektralbereich einzuschränken.

CTH:YAG wurde oft mit Blitzlampen im sichtbaren Bereich gepumpt. CTH:YAG hat auch ein bemerkenswertes Breitbandspektrum von 1,7 μm bis 2,15 μm (mit einem Maximum für die längsten Wellenlängen bei etwa 2,1 μm).

TSAG ist das wichtigste Isolatormaterial des Faserlasers der nächsten Generation. Als idealer magnetooptischer Kristall im sichtbaren und infraroten Bereich bietet TSAG die Vorteile einer hohen Verdet-Konstante sowie hervorragender thermischer und mechanischer Eigenschaften.

Die Maschine dient der Bearbeitung hochpräziser dünnschichtiger optischer Elemente.

Homogenisierende Linsen bestehen aus K9/Quarz.

Nach der Czochralski-Methode angebaut
Durchmesser: bis zu 485 mm
Dotierstoff B (Borum)
Leitfähigkeitstyp: P
Ausrichtung: 100
Widerstand: bis zu 10000
Notch-ja Notch-Position: 110
Kerbengröße: 2,3 mm
Form der Kerbe: V
Waferdicke: 775 ± 25 Mikrometer Art der Markierung: Laser Markierungsort Rückseite Kantenprofil: SEMI T/4 S1/S2 Polieren – ja
Gesamtdickenänderung über die Wafer (TTV), Mikrometer < 3
WARP: <40 Mikrometer Die Anzahl der Partikel auf einer Oberfläche ist größer
als 0,12 Mikrometer: <40
Oberflächengehalt an Aluminium, E10AT/CM2: 5