Ультрафиолетовый гальванометрический сканер

Волоконный гальванометрический сканер в основном применяется для устройств лазерной маркировки и лазерной сварки.

Подложка линзы – К9/БК7/кварц.

Кристалл LaAlO3 является материалом подложки для эпитаксиального выращивания тонких пленок из высокотемпературного сверхпроводника и тонких пленок с гигантским магнитосопротивлением из-за его хорошего согласования решетки с различными материалами структуры перовскита.

Полировщик оптических поверхностей с компьютерным управлением на основе мини-промышленного робота, с меньшим пространством и большей гибкостью. Погрешность поверхности определяется с помощью полирующего шпинделя, использующего оптические плоские, сферические и асферические поверхности. Технология подходящего полировального инструмента, основанная на контроллере силы полировки, была разработана для получения контролируемой функции воздействия и финишной обработки прецизионной оптической поверхности. Компания High Mark предоставит полные технологические решения от микрона до нанометра с использованием инновационных технологических процессов и программного обеспечения.

Алюмоиттриевый гранат, легированный неодимом (Nd:YAG), является самым ранним, самым известным и широко используемым лазерным кристаллом. Благодаря своим превосходным основным свойствам Nd:YAG до сих пор часто используется в твердотельных лазерах ближнего инфракрасного диапазона и их частоте. удвоение и удвоение частоты.

Полировальный станок для оптической поверхности с компьютерным управлением. Основан на промышленном роботе. Погрешность поверхности определяется с помощью полирующего шпинделя, который используется для оптических плоских, сферических и асферических поверхностей. Технология подходящего полировального инструмента, основанная на контроллере силы полировки, была разработана для получения контролируемой функции воздействия и финишной обработки прецизионной оптической поверхности. Компания High Mark предоставит полные технологические решения от микрона до нанометра с использованием инновационных технологических процессов и программного обеспечения.

Станок для создания фигур ионного луча работает с высокой плотностью луча, малым углом расхождения луча и большой однородностью луча. Пучок ионов высокой энергии бомбардирует поверхность оптики, чтобы достичь сверхточной поверхностной погрешности. Генерация ионов высокой энергии основана на использовании инертного газа высокой чистоты, проходящего через полый катод. Электрод генерирует ионизацию при разряде силового модуля и инжектирует электронный пучок в полость, причем электронный луч равномерно распределяется в анодной области через электронную однородную пластину под действием электрического поля и магнитного поля анода. электрическое поле сетки. Выходной ионный пучок контролируется системой для достижения равномерного и стабильного удаления с поверхности оптических элементов.

Кристалл Sggg, а именно гадолиний-галлиевый гранат, легированный Ca Mg Zr, является отличным материалом подложки для эпитаксиальных пленок Bi Fe граната.