Монокристаллическая компания

Монокристаллическая кремниевая пластина

Выращено по методу Чохральского.
Диаметр: до 485 мм
Допант Б (Борум)
Тип проводимости: П
Ориентация: 100
Сопротивление: до 10000
Нотч-да Нотч Местоположение: 110
Размер насечки: 2,3 мм
форма выреза: V
Толщина пластины: 775±25 микрон Тип маркировки: лазерная Расположение маркировки Обратная сторона Профиль кромки: SEMI T/4 S1/S2 полировка - да
Суммарное изменение толщины пластин (TTV), мкм < 3
ДЕФОРМАЦИЯ: <40 микрон. Число частиц на поверхности крупнее.
более 0,12 микрон: <40
Поверхностное содержание алюминия, E10AT/CM2: 5

Описание продукта

Монокристаллический кремний производится следующим процессом: кварцевый песок - кремний металлургического качества - очистка и рафинирование - осаждение слитков поликристаллического кремния - монокристаллический кремний - резка пластин. Основное применение монокристаллического кремния – полупроводниковые материалы, солнечная энергия, солнечное отопление и т. д.

Основные преимущества:

Возможна однократная проверка

Метод выращивания MCZ (Сверхпроводящий магнитный метод Чохральского)
Максимальный диаметр 485 мм
Нулевые дислокационные дефекты
Высокая урожайность
Содержание примесей чрезвычайно низкое



Типичные области применения:

Полупроводниковые материалы

Солнечная энергия

Солнечное отопление


Свойства материала

МатериалСи
Химическая формулаСи
Плотность2,33 г/см³
Чистота99.999%
Допуск размеров±0,1 мм
Поверхность3.2Ра
ЦветСветло-серый

Выращено по методу Чохральского.
Диаметр: до 485 мм
Допант Б (Борум)
Тип проводимости: П
Ориентация: 100
Сопротивление: до 10000
Нотч-да Нотч Местоположение: 110
Размер насечки: 2,3 мм
форма выреза: V
Толщина пластины: 775±25 микрон Тип маркировки: лазерная Расположение маркировки Обратная сторона Профиль кромки: SEMI T/4

Приложения

Похожий продукт