Поликристаллический кремний

Описание продукта

Когда расплавленный элементарный кремний затвердевает в условиях переохлаждения, атомы кремния объединяются во множество кристаллических зародышей в форме алмазной решетки, и если эти кристаллические зародыши вырастают в зерна с различной ориентацией кристаллической поверхности, эти кристаллические зерна объединяются и кристаллизуются в поликремний. .

Основные преимущества:

Поликристаллический кремний имеет серый металлический блеск и плотность 2,32~2,34 г/см3. Температура плавления 1410 °С. Температура кипения 2355 °С. Растворим в смешанных кислотах плавиковой кислоты и азотной кислоты, нерастворим в воде, азотной кислоте и соляной кислоте. Твердость находится между германием и кварцем, хрупкий при комнатной температуре и легко ломается при резке. Нагрев выше 800 °С является пластичным, при 1300 °С наблюдается очевидная деформация. Он неактивен при комнатной температуре, а при высокой температуре реагирует с кислородом, азотом, серой и т. д. В состоянии высокотемпературного плавления он обладает большой химической активностью и может взаимодействовать практически с любым материалом. Он обладает полупроводниковыми свойствами и является чрезвычайно важным превосходным полупроводниковым материалом, но следы примесей могут сильно повлиять на его проводимость. Электронная промышленность широко используется в производстве полупроводниковых радиоприемников, магнитофонов, холодильников, цветных телевизоров, видеомагнитофонов, электронных вычислительных машин и других основных материалов. Его получают хлорированием высушенного порошка кремнезема и сухого газообразного хлористого водорода при определенных условиях, а затем конденсацией, ректификацией и восстановлением.

Типичные области применения:

Поликремний является непосредственным сырьем для производства монокристаллического кремния и является основным материалом электронной информации для современного искусственного интеллекта, автоматического управления, обработки информации, фотоэлектрического преобразования и других полупроводниковых устройств.

Свойства материала