Entreprise monocristalline

Plaquette de silicium monocristallin

Cultivé selon la méthode Czochralski
Diamètre : jusqu'à 485 mm
Dopant B (Borum)
Type de conductivité : P
Orientation : 100
Résistivité : jusqu'à 10 000
Encoche-oui Emplacement de l'encoche : 110
Taille de l'encoche : 2,3 mm
forme de l'encoche : V
Épaisseur de la plaquette : 775 ± 25 microns Type de marquage : laser Emplacement du marquage Face arrière Profil du bord : Polissage SEMI T/4 S1/S2 - oui
Changement d'épaisseur totale à travers les tranches (TTV), microns < 3
WARP : <40 microns Le nombre de particules sur une surface plus grande
que 0,12 microns : <40
Teneur en surface de l'aluminium, E10AT/CM2 : 5

Description du produit

Le Si monocristallin est produit par le procédé suivant : Sable de quartz - silicium de qualité métallurgique - purification et affinage - lingots de silicium polycristallin déposés - silicium monocristallin - découpe de tranches. La principale application du Si monocristallin doit être appliquée en tant que matériaux semi-conducteurs et dans le domaine de l'énergie solaire et du chauffage solaire, etc.

Principaux avantages:

Une seule inspection est disponible

Méthode de croissance MCZ (Superconducting Magnetic Czochralski)
Diamètre maximum de 485 mm
Zéro défaut de luxation
Rendement de croissance élevé
La teneur en impuretés est extrêmement faible



Applications typiques:

Matériaux semi-conducteurs

Énergie solaire

Chauffage solaire


Propriétés matérielles

MatérielSi
Formule chimiqueSi
Densité2,33 g/cm³
Pureté99.999%
Tolérance dimensionnelle±0,1mm
Surface3.2Ra
CouleurGris clair

Cultivé selon la méthode Czochralski
Diamètre : jusqu'à 485 mm
Dopant B (Borum)
Type de conductivité : P
Orientation : 100
Résistivité : jusqu'à 10 000
Encoche-oui Emplacement de l'encoche : 110
Taille de l'encoche : 2,3 mm
forme de l'encoche : V
Épaisseur de la plaquette : 775 ± 25 microns Type de marquage : laser Emplacement du marquage Face arrière Profil du bord : SEMI T/4

Applications

Produit associé